全球热门:8吋!2家SiC企业公布关键进展

时间：2023-06-22 13:26:48 来源: 面包芯语

各位行家，端午安康。今天，“行家说”为你带来2条8吋SiC的内容服务：

●科友半导体：突破关键8吋SiC单晶量产技术，为大规模量产奠定基础。

(资料图片)

● 天成半导体：成功研发8吋SiC单晶。

2023年4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通，并进入中试线生产。

目前，科友半导体8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上，有望成为我国大尺寸低成本碳化硅规模化量产制造技术的领跑者。

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今天（6月22日），“行家说三代半”在调研中了解到，国内还有1家企业——山西天成半导体——也实现了8吋SiC单晶技术研发突破。

天成半导体透露，他们这次开发出的8吋SiC单晶直径达到202mm，各项参数指标良好。

天成半导体成立于2021年8月成立，2022年4月，天成半导体仅用半年时间就顺利完成了中试投产，已经实现了6英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶锭的小批量生产。

《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》部分目录：

第二章 SiC产业关键技术进展

2.1 SiC特性及技术优势

2.2 SiC单晶生长及衬底加工工艺分析

2.3 SiC外延技术分析

2.4 SiC功率器件技术进展及趋势分析

2.5 SiC分立器件封装技术进展及趋势分析

2.6 SiC模块技术进展及趋势分析

2.7 SiC关键设备和材料技术分析

2.8 核心SiC技术在中国国产化的挑战分析

第三章全球SiC半导体产业竞争格局

3.1 全球与中国SiC产业发展历程与所处阶段

3.2 各国/区域SiC代表厂商

3.3 SiC衬底竞争格局

3.4 SiC外延竞争格局

3.5 SiC器件/模块竞争格局

3.6 SiC关键设备/材料竞争格局

《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》部分目录：

第二章 GaN产业关键技术进展

2.1 GaN特性及技术优势

2.2 GaN单晶生长及衬底加工工艺分析

2.3 GaN外延技术分析

2.4 GaN功率器件技术进展及趋势分析

2.5 GaN器件/模块封装技术进展及趋势分析

2.6 GaN关键设备和材料技术分析

第四章全球GaN半导体产业竞争格局

4.1 全球与中国GaN产业发展历程与所处阶段

4.2 各国/区域GaN代表厂商

4.3 GaN衬底竞争格局

4.4 GaN外延竞争格局

4.5 GaN器件/模块竞争格局

4.6 GaN关键设备/材料竞争格局

了解更多白皮书信息，请点下方“阅读原文”。

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